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Ordering number : EN8993A
ECH8420
N-Channel Power MOSFET
20V, 14A, 6.8m Ω , Single ECH8
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=5.2m Ω (typ.)
1.8V drive.
Halogen free compliance.
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
20
±12
14
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
50
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7011A-002
Top View
ECH8420-TL-H
Product & Package Information
? Package : ECH8
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
1
8
0.65
2.9
5
4
0.3
0.15
0 to 0.02
Packing Type : TL
TL
Electrical Connection
Marking
ZA
Lot No.
8
7
6
5
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
Bottom View
ECH8
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
71112 TKIM/O1911PE TKIM TC-00002660 No.8993-1/7
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